Tập đoàn Intel, Samsung Electronics và TSMC đã công bố việc đạt được thỏa thuận về cộng tác trong toàn ngành công nghiệp nhắm tới việc chuyển đổi sang những tấm nền wafer lớn hơn, có kích thước 450 mm, bắt đầu từ năm 2012.
Việc chuyển đổi sang những tấm nền wafer lớn hơn sẽ tiếp tục hỗ trợ sự tăng trưởng của ngành công nghiệp bán dẫn và giúp duy trì một cấu trúc chi phí hợp lý cho sản xuất và ứng dụng mạch tích hợp tương lai.
Các Cty này sẽ cộng tác với ngành công nghiệp bán dẫn để đảm bảo rằng mọi linh kiện, cơ sở hạ tầng và năng lực cần thiết sẽ được phát triển và kiểm thử trên một dây chuyền thử nghiệm, bắt đầu từ thời điểm dự kiến nói trên.
Về cơ bản, việc sản xuất những tấm nền wafer có kích thước lớn hơn sẽ giúp nâng cao năng lực để sản xuất những thiết bị bán dẫn với mức chi phí thấp hơn.
Tổng diện tích bề mặt silicon của một tấm nền wafer 450 mm và số lượng đế (tương ứng với những con chip máy tính riêng lẻ) gấp hơn 2 lần diện tích bề mặt của một tấm nền wafer 300 mm.
Những tấm nền wafer lớn hơn sẽ giúp hạ thấp chi phí sản xuất trên từng con chip. Thêm vào đó, nhờ việc sử dụng hiệu quả năng lượng, tấm nền wafer cũng như các tài nguyên khác, những tấm nền wafer lớn hơn có thể giúp cắt giảm mức độ sử dụng tài nguyên tổng thể trên mỗi con chip.
Ví dụ như, việc chuyển đổi từ các tấm nền wafer từ 200 mm sang 300 mm đã cắt giảm đáng kể mức bức xạ tổng hợp trên từng con chip về phương diện ô nhiễm không khí, các khí gây ra hiệu ứng nhà kính và mức tiêu thụ nước. Những khả năng cắt giảm hơn nữa đang được kỳ vọng sẽ tiếp tục khi chuyển sang các tấm nền wafer 450 mm.
Intel, Samsung và TSMC cho thấy ngành công nghiệp bán dẫn có thể cải thiện khả năng thu hồi vốn đầu tư và cắt giảm đáng kể chi phí nghiên cứu phát triển công nghệ 450 mm bằng việc ứng dụng những tiêu chuẩn thống nhất, áp dụng những thay đổi vào cơ sở hạ tầng 300 mm cùng với tự động hóa, và cùng nhau hợp tác hướng tới một khung thời gian chung.
Các Cty này cũng nhận thấy rằng một hướng tiếp cận mang tính hợp tác sẽ giúp giảm thiểu rủi ro và các chi phí chuyển đổi.
Trong quá khứ, việc chuyển đổi sang tấm nền wafer có kích thước lớn hơn kế tiếp thường phải bắt đầu từ 10 năm sau lần chuyển đổi trước đó. Ví dụ, ngành công nghiệp bắt đầu việc chuyển đổi sang các tấm nền wafer 300 mm vào năm 2001, đúng một thập kỷ sau khi những cơ sở sản xuất 200 mm đầu tiên (còn được biết đến với cái tên là “fab”) được giới thiệu vào năm 1991.
Theo đúng tiến độ lịch sử của sự phát triển đó, Intel, Samsung và TSMC đồng ý rằng năm 2012 là một mốc thời gian phù hợp để bắt đầu việc chuyển đổi sang 450 mm.
Với sự phức tạp của việc tích hợp tất cả mọi linh kiện cho sự chuyển đổi ở quy mô lớn như vậy, các công ty này thống nhất rằng việc cân nhắc một cách nhất quán về khung thời gian đích sẽ là hết sức quan trọng để đảm bảo sự sẵn sàng của toàn bộ ngành công nghiệp.
Ba công ty này sẽ tiếp tục làm việc với International Sematech (ISMI), bởi Cty này có một vai trò quan trọng trong việc phối kết hợp những nỗ lực của ngành công nghiệp trên các phương diện cung ứng tấm nền wafer 450 mm, xây dựng các tiêu chuẩn và phát triển những năng lực thiết bị kiểm thử.
